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MRF151G - RF Power Field-Effect Transistor 300 W, 50 V, 175 MHz N-Channel
Art.Nr.: MRF151G




145,000 EUR
incl. 16 % MwSt.
exkl. Versandkosten

MRF151G  -  RF Power Field-Effect Transistor   300 W, 50 V, 175 MHz N-Channel

Features
Guaranteed Performance at 175 MHz, 50 V:
• Output Power — 300 W
• Gain — 14 dB (16 dB Typ)
• Efficiency — 50%
• Low Thermal Resistance — 0.35°C/W
• Ruggedness Tested at Rated Output Power
• Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability

Description and Applications
Designed for broadband commercial and military  applications at frequencies to 175 MHz.
The high power, high gain and broadband performance of this device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.    


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